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碳化硅HMDS烘箱，SiC襯底HMDS烤箱將HMDS氣相沉積至半導體制造中氮化鎵（GaN）和、碳化硅（SiC）、硅片、砷化鎵等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用
碳化硅HMDS烘箱的背景
碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產(chǎn)技術(shù)和器件制造水平成熟，應(yīng)用廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前已經(jīng)形成了全球的材料、器件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。其結(jié)合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。
碳化硅HMDS烘箱，SiC襯底HMDS烤箱的作用
HMDS烘箱將HMDS氣相沉積至半導體制造中氮化鎵（GaN）和、碳化硅（SiC）、硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
碳化硅HMDS烘箱，SiC襯底HMDS烤箱主要性能：
空間(mm)：300*300*300
450*450*450
600*600*600，可定制
適用產(chǎn)品：兼容1-12寸晶圓及碎片
溫度范圍：RT+10-250℃
溫度穩(wěn)定度：≤±0.5℃
真空度：≤133pa（1torr）
材質(zhì)：316L不銹鋼+冷軋板噴塑
HMDS系統(tǒng)：密閉設(shè)計，自動開啟，數(shù)據(jù)可設(shè)定
液位計：低液位報警
儲液瓶：HMDS儲液量1000ml
真空泵：無油渦旋真空泵
運行時間：20Min
計量單位：S/Pa
運行方式：自動運行
進氣：N2
排氣：有機排放
電源：220V、50-60HZ
功率：2800W
